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2014年下半南韩半导体厂望扩大资本支出

发布时间:2019-08-15 20:08:08 编辑:笔名

  三星电子(Samsung Electronics)半导体事业涵盖记忆体与系统IC,其半导体资本支出自2010年起连续4年居全球之冠。2014年三星半导体资本支出可望与201 年持平在115亿美元水准,然因三星预计2014年完工的南韩华城厂第17产线将展开设备装机,2014年下半其资本支出可望较上半年增加。

  三星记忆体事业已于南韩华城厂及大陆西安厂设立共7条产线,2014年三星华城厂将以先进制程转换为主,西安厂则将逐步提升垂直堆叠NAND Flash V-NAND 产能,在系统IC事业方面,三星将以预计2014年下半完工的华城厂第17产线为其投资重点,目标为提供20奈米以下制程晶圆代工服务。

  2014年南韩另一半导体厂商SK海力士(SK Hynix)规划资本支出将介于 亿~ 8亿美元,可望高于201 年的 亿美元,其将以利川工厂的DRAM用M14新产线为投资重点,由于M14产线预定2014年中动工,SK海力士与三星同样将呈现2014年下半资本支出较上半年增加的情形。

  2014年除三星与SK海力士外,包括美光(Micron)、东芝(Toshiba)及SanDisk等记忆体厂的资本支出亦将在10亿美元以上,其中,美光将加快其DRAM朝20奈米级制程升级的脚步,并提高NAND Flash产能,东芝则透过与SanDisk合资方式,重建其四日市工厂第2栋厂房以扩充垂直堆叠架构NAND Flash产能。

  在非记忆体方面,2014年包括英特尔(Intel)、台积电、GlobalFoundries及联电等业者的资本支出皆将逾10亿美元,其中,英特尔将主要用于布局14奈米及更先进制程,台积电将自20奈米朝16奈米鳍式场效电晶体(Fin Field-Effect Transistor;FinFET)制程发展,GlobalFoundries与联电则分别计划布局20奈米以下先进制程及提升28奈米制程比重。

  2014年资本支出逾10亿美元的半导体业者合计资本支出将为49 亿美元左右,DIGITIMES Research观察,2014年全球DRAM三大业者皆将朝25~21奈米制程升级,NAND Flash产业则呈现前两大厂于垂直堆叠架构与19~16奈米制程并重的情形。至于非记忆体,则以2014年英特尔将扩充14奈米制程产能的进展较快。

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